（図a)Nomal DiodeのＶ-Ｉ特性 (図b)負性抵抗を測定する回路

　通常のダイオードの電流電圧特性は図aに示したとおりである。 ＰＮ接合面での電位障壁があるため整流性があり、順方向のバイアスをかけると電圧の増加に伴い 電流が流れる事になる。
　しかしキャリアーが高濃度にドープされ、障壁の厚さも薄いTunnel diodeではトンネル効果によりNomal diodeとは違ったＶ-Ｉ特性を示す。
　具体的にはある電圧の領域においてダイオードにかかる電圧を増すほど電流量が減少すると言う「負性抵抗(Negative Registance)」の領域がある。 この実験では負性抵抗のＶＩ特性曲線を得ることを目的とする。

　実験で用いた回路は図bの通り。ＣＨ１でTunnel diodeの電圧降下を測定し。ＣＨ２で抵抗の電圧降下からダイオードに流れる電流を測定する。

（図c)発振回路におけるＶ（縦軸）ｔ（横軸）
(図d)

　トンネルダイオードに直列にコイルを接続した回路をつくり、直流電源をつなぐと回路に流れる電流とダイオードの電圧が 図ｃのように振動する現象が見られる場合がある。Constant Enegyのもとでこのような振動現象が見られる事を「自励振動(Self-excited oscillation)」 という。この実験では図ｄの回路においてSelf-excited oscillationを観察するとともに、この回路の回路方程式から非線形振動の方程式 Van der Pol equationを導き、発振の起きる理由について考察する。